تعلم الإلكترونيات على شكل تمارين متسلسله للمهندس /أسامه مطر

[ابراهيم جاد]

   

بسم الله​

مرحلة خرج الألوان RGB

خواص المدافع الإلكترونية

تم في الموضوع السابق وضع جهود التشغيل للمدافع الإلكترونية الثلاثة وهي متشابهة تماماً والشرح عن أحدها هو شرح للثلاثة وما ينطبق على شاشة ينطبق تماماً على كل الشاشات ولكن هنالك فروقاً بحسب الحجم والعمر وجودة التصنيع
عندما تضيء الشاشة بشكل طبيعي
 يكون على ال CATHODE جهداً مقداره V=150V
 الشبكة الحاكمة G1 صفر فولت
 لوح التسارع G2 عليه V=300V
 لوح التركيز FOCUS عليه V= 4000V
 اللوح النهائي ANODE عليه V=20000V

ما عدا جهد الكاثود CATHODE فإن الزيادة الموجبة في الجهود السابقة تزيد من إضاءة الشاشة
وجميع الجهود السابقة ثابتة مع إمكانية الضبط والجهد المتغير هو جهد الكاثود حيث تتغير شدته حسب الإشارة التي يحملها ولا يظهر تغير الجهد إلا باستخدام راسم الإشارة حيث يتغير في حدود V=80V/PP فعندما يكون جهد الكاثود (مهبط) حوالي V=170V تبدو الشاشة مظلمة وعندما يكون V=80V تكون إضاءة الشاشة أعلى ما يكون وكما ذكر هذه الأرقام قريبة من الواقع
تصل إشارات الألوان الثلاثة RGB بعد استخلاص اشارة Y من متكاملة معالجة اشارة الصورة TDA3504 إلى مدافع الشاشة الثلاثة كل حسب لونه
وهذه الإشارات الثلاثة مجتمعة تشكل إشارة الصورة B&W ويمكن التأكد من ذلك لو وصلت مخارج الألوان بعد التكبير من أطراف سوكت الشاشة مباشرة الأطراف (6 مع 8 مع 11 ) فتصبح الصورة أبيض وأسود ويمكن استخدام هذه الفكرة عندما نشك في مكان الخلل هل من الشاشة أم من مرحلة RGB .

الترانزستورات الثلاث متشابهة في كل شيء عدا إلغاء تحكم DRIVE للون الأحمر والذي يتحكم في مقدار تشبع إشارة اللون نفسه والتحكم في طريق الإشارة وهو تحكم بالحجم VOLUME
في حين أن تحكم BIAS لشدة إضاءة اللون وهو تحكم بمركبة DC لكل لون ومن الصعب ضبط DRIVE بدون صورة ويفضل أن تكون ثابتة أو باستخدام مولد النماذج على القضبان اللونية في حين يضبط BIAS في حال عدم وجود إشارة لون
وشاهد هذا الشكل لعله يوضح الفرق بين DRIVE/BIAS وسوف نتحكم في اللون الأزرق

​

المقصود بمركبة DC
لاحظ الشكل التالي:

وظيفة RGB FEED BACK

عندما تزيد إشارة أي لون أو كل الألوان يؤدي ذلك إلى زيادة التيار عبر الترانزيستور فيتأثر جهد الباعث بالزيادة فيؤخذ هذا الجهد للتحكم في مركبة DC والتي عليها إشارة الألوان فيتم خفضه وعليه يعود جهد الدخل RGB إلى الانخفاض مع بقاء الإشارة PP أي ينخفض توهج الشاشة وتظهر الصورة أكثر نصوعاً وعند حدوث أمر عكسي أي انخفاض في جهد الاشارة RGB فيقل التيار عبر الترانزيستور وينخفض الجهد الراجع على هذا الخط مما يؤدي على ورفع المركبة DC مما يساعد في ظهور الإشارة بشكل متناسق
فصل هذا الخط يلغي مركبة DC فتبقى إشارة الصورة وهي غير كافية لفتح الترانزيستور مما يؤدي لإظلام الشاشة
وعند زيادة هذه الجهد بالخطأ تعلو مركبة DC وتفتح المكبرات على أقصى ما يكون فتبهت الصورة أو تختفي وتصبح إضاءة الشاشة عالية مع أو بدون صورة ويلاحظ هنا أن خفض مستوى جهد SCREEN يمكن أن يظهر الصورة
__________________

 

 

[ابراهيم جاد]

   

بسم الله

ترانزيستور تأثير المجال ​

ترانزستورات تأثير المجال موسفت

MOSFET

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor​

يعتبر ترانزيستور تأثير المجال MOSFET تطويراً للترانزستورات العادية BJT ثنائية القطبية ولكنه ليس بديلاً مباشراً أو ممكناً دائماً فهنالك فروق بينهم سيتضح بعضها خلال الموضوع.
وهو أيضا في نوعين أساسيينذو القناة الموجبة P-CHANNEL والقناة السالبة N-CHANNEL والأخير N-CH مثل ترانزيستور NPN أكثر شهرة واستخداماً

ويركب مثله تماماً في الدوائر الإلكترونية مع الأخذ بعين الاعتبار فروقات تشغيل القاعدة B في BJT والبوابة GATE في MODFET​

التركيب:
كما يظهر في الشكل

الفحص:
هنالك مشكلة في ساعات الفحص Multimeters عندما نريد فحص الموسفت فالساعات الرقمية وفي معظمها مجهز لقياس الثنائي والذي كما نعلم أن جهد العتبة له V=0.6V وعليه تخرج ساعة الفحص على طرفيها جهداً أعلى من ذلك لفحصه فإذا كان جهد ساعة الفحص يقل عن V=1.5V فلن تتمكن من قياسه وستحتاج لساعة قياس تماثلية عموماً:
هنالك عدة طرق لفحص الموسفت
أسهلها وهي:
طريقة القياس
• فرغ شحنة الأقطاب إن وجدت بين أطراف الموسفيت بتلامسهم بجسم معدني
• ضع الاوميتر على الوضع المسموع (صفاره )
• ضع الطرف الموجب (الأحمر) من الاوميتر على القاعدة G
• والطرف الأسود مره على المنبع ومره على المصرف
• يجب أن لا نسمع أي أثر للصفارة أبدا وإلا اعتبر تالفا

​

طريقة أخرى للفحص:
التقط الموسفت من الإطار العازل ولا تقترب من الأطراف المعدنية
لامس جميع أطراف الموسفت معاً بهدف تفريغ أي شحنة على البوابة GATE باستخدام مفك أو طرف المقياس
 لامس الطرف السالب لساعة القياس (AVO) مع المنبع SOURCE وفي نفس الوقت
 لامس الطرف الموجب لساعة القياس (AVO) مع البوابة GATE لأجل شحنها
 ارفع الطرف الموجب عن البوابة واجعله يلامس المصب DRAIN
سوف تأخذ قراءة منخفضة على جهاز ساعة القياس (AVO) لأن الموسفت أصبحت في وضع التوصيل ON
بينما الطرف الموجب لا زال على المصب DRAIN اعمل تلامس بين البوابة GATE والمنبع SOURCE بطرف إصبعك لتفريغ شحنة البوابة ففي هذه الحالة يجب على جهاز ساعة القياس (AVO) أن يعطي قراءة مرتفعة بمعنى تحول الموسفت للوضع OFF اغلاق
أو بينما الطرف الموجب لا زال على المصب DRAIN ارفع الطرف السالب عن المنبع ودعه يلامس البوابة ثم أعده مرة ثانية ل SOURCEلإعطاء شحنة سالبة للبوابة GATE ففي هذه الحالة يجب على جهاز ساعة القياس (AVO) أن يعطي قراءة مرتفعة بمعنى تحول الموسفت للوضع OFF اغلاق

مقارنة بين MOSFET و Bipolar Junction Transistor BJT
عند قراءة خواص الترانزيستور من Data Sheet (كتاب دليل الخواص والمواصفات) نجد أن هنالك جهود تشغيلية مختلفة وتيارات متفاوتة ومنحنيات خواص كثيرة
ولكوننا لا نريد من خلال هذا العمل الدخول في تصاميم الدوائر الإلكترونية بشكل نظري أكاديمي ونود طرح الموضوع من الناحية العملية مع فهم لخواص القطع التي نتعامل معها ما أمكن أو ما يكفي لنقوم بفهم تلك التصاميم لنتمكن من إجراء أعمال الصيانة المختلفة
وعلى الرغم من ذلك فإن دراسة خواص القطع ذو فائدة عظيمة لمن كان يريد الإبحار في عالم الإلكترونيات بمزيد من الدراية والفهم
للمقارنة بين ترانزيستور MOSFET وترانزيستور BJT وأخص بالذكر الموسفت IRF840(MOSFET) وثنائي القطبية BUT11(BJT) نجد التالي:
جهد تشغيل القاعدة /البوابة
n حدود فرق الجهد القصوى بين الباعث والقاعدة V=1.4V مع أن فرق الجهد التشغيلي V=0.66
n حدود فرق الجهد القصوى بين ال S و G زائد / ناقص V=20V مع أن جهد التشغيل V=4.5V
تيار القاعدة بالنسبة لتيار الباعث في BJT حوالي 5%
تيار البوابة بالنسبة لتيار المنبع SOURCE أقل من أن تشعر به ساعات الفحص التي نستخدمها وكما ذكر في كتاب المواصفات فإن أعلى تيار يصل I=500nA .

وفي تجربة عملية بهذا الخصوص كانت النتائج التالية:
عند أدنى حد ممكن لجهد القاعدة/ بوابة تلاحظ أن BJT بدأت التكبير عند وصول أول جهد لقاعدتها في حين أن MOSFET لم تغير ساكناً عندما كان جهد بوابتها V=1V .وتبقى كذلك حتى يصل جهد البوابة ل V=2.866V فتبدأ بالتكبير (حسب التجربة يصبح جهد المنبع V=1mV فقط)

تم تصغير هذه الصورة. إضغط هنا لمشاهدة الصورة كاملة. الصورة الأصلية بأبعاد 710 * 463 و حجم 22KB.

وعند مواصلة رفع جهد القاعدة والبوابة نلاحظ أن ال BJT احتاجت لفرق جهد القاعدة عن الباعث V=0.58 لإمرار تياراً مقداره I=10mA في حين أن الموسفت تحتاج لجهد بوابة V=3.76 لإمرار نفس التيار لكن لو كانت نفس مقاومات تهيئة جهد القاعدة فهذا يعني ارتفاع جهد البوابة في الموسفت ل V=5.4V ولكنها ستمرر في هذه الحالة تيارا مقداره I=16.6mA أي أن تأثير المجال ستمرر تياراً أعلى من ثنائي القطبية عند تساوي ظروف التشغيل

والشكل الثالث تعزيز لنفس النتائج
الشكل الرابع وهو أقصى ما أمكن مع ساعة الفحص
وليس بحاجة لشرح فكل شيء واضح بالرسم

تم تصغير هذه الصورة. إضغط هنا لمشاهدة الصورة كاملة. الصورة الأصلية بأبعاد 710 * 442 و حجم 23KB.

تم تصغير هذه الصورة. إضغط هنا لمشاهدة الصورة كاملة. الصورة الأصلية بأبعاد 697 * 441 و حجم 23KB.

وفي محاولة للإجابة على السؤال:
هل يمكن تركيب ترانزيستور MOSFET مكان ترانزيستور BJT ؟
نشاهد الرسم التالي:

وقد اكتفي هنا بإضافة مثبت للجهد ZENER DIODE بقيمة 3.3 فولت عند التحويل من موسفت لعادي ثنائي القطبية
ولكن يمكن إضافة ترانزيستور أحياناً أو غالباً للتحويل من أي منهما للآخر فإذا كان تصميم الدائرة على الموسفت وأردنا تركيب عادي نضيف ترانزيستور لتكبير تيار القاعدة
ولو كان عندنا عادي ونريد الإستبدال بموسفت نضيف ترانزيستور لتكبير الجهد
وبدون الدخول في تفاصيل أكثر نشاهد الشكلين التاليين​

أرجو أن أكون وفقت في توضيح الفروقات العملية بين BJT و MOSFET​

__________________

 

 

[ابراهيم جاد]

   

بسم الله الرحمن الرحيم​

دائرة التغذية في التلفزيون
تحول الجهد الكهربي العمومي AC إلى مجموعة من الجهود الثابتة والمناسبة لتشغيل جهاز التلفزيون
وجميع دوائر التغذية تعتمد نظام التقطيع chopping بهدف الحصول على جهود تتميز ب:
n مختلفة القيم حسب حاجة الجهاز
n ثابتة مهما تغير جهد العموم في الحدود 25% زيادة أو نقصان
n محمية من زيادة الحمل
n تعزل الجهد الحي LIVE عن دوائر الجهاز (في معظمها)

وتلك الميزات هي الحد الأدنى لأي دائرة تغذية وعلى سبيل المثال
تعمل بعضها من 85V وحتى 265V AC
بها حماية من ارتفاع جهد الدخل
بها حماية من ارتفاع درجة الحرارة
نسبة الخطأ في جهد الخرج صفر
نسبة الفقد في عملية التحويل صفر (مستثنى من ذلك الفقد الحراري)

شرح لوحدة التغذية

أولاً: دخول جهد العموم

​

مدخل الجهد P801 مأخذ PLUG
يدخل جهد العموم v=220VAC عن طريق الفيش الخاص به ويلاحظ عدم الحاجة لوصلة الأرضي لأن هذه الأجهزة معزولة بشكل مضاعف وقد يظهر رمز مربعين متداخلين أحياناً على ظهر الجهاز للدلالة على ذلك
الرمز الموجودة في المدخل لأقصى اليسار يدل على أن كابل التغذية AC220V موصول بالشاسيه (بوردة الجهاز) عن طريق مأخذ PLUG(أداة توصيل)

المنصهر FUSEF801
أول شيء في طريق تغذية العموم LIN وهو موجود لحماية المنزل من وجود قصر في دوائر الجهاز قد تسبب حريق للجهاز وبالتالي المنزل ولكنه يعمل في بعض الأحيان على حماية الجهاز من ارتفاع أو انخفاض زائد في خط جهد العموم LIN وله أرقام تحدد خواصه كزمن تحمله عند زيادة التيار المار به وفي حالة عطل المنصهر يغير بنفس القيمة.

الفايريستور VARISTOR (مقاومة تتأثر قيمتها بالجهد وبشكل عكسي)VD801

​

وهو موجود بين قطبي جهد التغذية العام ويعمل على قصر الدائرة إذا زاد جهد التغذية عن جهده ويتسبب في فصل المنصهر وحماية باقي دوائر الجهاز

مفتاح القدرة الرئيسي SWITCH ... SW801
لفصل ووصل جهد العموم عن الجهاز

المكثف C810 والملف T801 والمكثف C809
جميعها لتنقية جهد العموم من الشوشرة العالية المصاحبة للجهد الكهربي

المقاومة TH802 NTC

​

مقاومة ذات معامل حراري سالب فكلما ارتفعت درجة حرارتها قلت قيمتها وهي لتأمين عدم اندفاع الجهد الكهربي مباشرة للقنطرة

المقاومة R810 CEN
هي مقاومة سلكية غلافها من الإسمنت وهي للحماية

المقاومات TH801 وتسمى PTC أو Positor

​

وهي عبارة عن مقاومتين PTC مختلفتين لتغذية ملف إزالة المغنطة
إحداهما والمتصلة على التوالي مع الملف تسمي أي مقاومة ذات معامل حراري موجب وتمرر التيار لحظياً لملف إزالة المغنطة عند بداية كل تشغيل

ملف إزالة المغنطة DEGAUSSING COIL (سلك ملفوف)

​

الموجود حول جسم شاشة التلفزيون من ناحية البوردة (داخلى) ويكون قريباً من حاجب الظل SHADOW MASKE لإزالة مغنطته بشكل دوري عند فتح الجهاز من مفتاح القدرة الرئيسي SW801 ويلزم الورش ملف خاص بإزالة المغنطة

القنطرة DB801
لتقويم جهد العموم

المكثفات C808 و C809
لتسريب القمم العالية الجهد والتردد للأرضي فيشكل ذلك حماية لثنائيات القنطرة

المكثف C806
مكثف التنعيم الرئيسي لجهد العموم LIN ويكون على طرفيه حوالي V=300VDC لتغذية وحدة التغذية.

ثانياً وحدة التقطيع دخل التغذية

​

العديد من القطع المكونة للدائرة تكون لتخفيض الجهد أو تحديد للتيار وبالتالي سنتطرق للقطع التي تفيد في آلية عمل الدائرة.

المقاومات:
المقاومتان R713 و R714 على بوابة GATE الموسفت تسمى مقاومات البدء START لتأمين جهد انحياز للموسفت Q801
المقاومة R716 على منبع SOURCE الموسفت لاستشعار تيار الدائرة (الموسفت)
المقاومة R715 مع المكثف C710 لإغلاق دائرة الجهد المرتد عن طريق الثنائي D711 على المصب DRAIN وعدم ضياع الجهد المرتد أو إتلاف الموسفت
المقاومات R730 و R718 مع المكثف C715 عبارة عن دائرة توقيت Timing لزمن الجهد المرتد في تفريغه للمكثف C714 .

المكثفات:
المكثف C712 لترشيح الترددات العالية
المكثف C714 لتحديد زمن تشغيل وإغلاق الموسفت (يتحكم في تردد الدائرة) من خلال زمن الشحن والتفريغ وتعمل الدائرة في حدود التردد 144kHz(no load) عند عدم وجود حملعليها وتردد 70kHz عند أقصى حمل(high beam current)
المكثف C738 لمنع تذبذب Q703
المكثفان C711 وC713 للتخلص من القمم الإبرية Spikes للجهد المرتد

الثنائيات:
الثنائيD711 تقويم الجهد المرتد والاستفادة منه في عودته لمكثف التنعيم الرئيسي عن طريق المكثف C710 و R715
الثنائي المثبت للجهد زينر D712 (Z15V) ووظيفة هي عدم السماح بزيادة الفولت المار لل Q701 عن 15V و حمايه لل Q701 من أية قمم إبرية Spikes
الثنائي D716(Z5.6V) لتحديد حدود الجهد المرتد وعدم زيادته عن حد التصميم
الثنائي D715 لتقويم جهود تغذية دائرة القدرة نفسها
الثنائي D713 يجعل للجهد (التيار) مسار واحد باتجاه Q702

الترانزستورات:
الترانزيستور الموسفت Q701 وهو ترانزيستور القدرة في الدائرة والمسئول عن تقطيع التيار الكهربي
الترانزيستور Q703 وظيفته فتح ON وإغلاق OFF الموسفت Q701 بمعني حافز DRIVER للموسفت
الترانزيستور Q702 حماية من زيادة تيار الدائرة

الرابط الضوئي IC705
للربط بين مخرج الدائرة ومدخلها وتأمين العزل الكهربي

مخارج الدائرة:
الجهد +8V محمي بزينر لتغذية دائرة التحكم ودوائر التردد المتوسط IF
الجهد +16V لتغذية موجبة لدائرة الرأسي وجهد مرجعي للتحكم في جهد خرج الدائرة عن طريق الرابط الضوئي IC705.
الجهد -16V تغذية سالبة للرأسي
الجهد +150V لتغذية دائرة الانحراف الأفقي ومنه جهد الخطأ لتصحيح جهود خرج التغذية وذلك عن طريق التحكم في IC مكبر الخطأ IC706
الثنائي D726 تثبيت الجهد المرجعي لدائرة التحكم بجهد الخرج
باقي المقاومات تعمل كمجزئات للجهد لتأمين ظروف التشغيل المناسبة لكل من IC705 و IC706.
والمكثفات للتنعيم


آلية عمل الدائرة
يدخل الجهد الكهربي AC220V حتى يصل القنطرة فيقوم ثم ينعم عن طريق مكثف التنعيم الرئيسي C806 حتى يصل طرف في 17محول التقطيع شوير T701 ويخرج منه على الطرف 12 وصولاً لمصب DRAIN الموسفت

ولا يمر التيار حتى تقوم المقاومتان R713/R714 بتأمين جهد انحياز البوابة GATE ويلاحظ أن المكثف C714/82pF سوف يشكل تأخيراً زمنياً ولن يفتح الموسفت ON إلا بعد إتمام شحنه (حيث طرف هذا المكثف متصل بأرضي الدائرة عن طريق R730 ثم R718 ثم طرف 15 ومنه ل14 لمحول التشوبر T701 وصولاً لأرضى الدائرة) حتى وصول جهد البوابة لv=4.5V عندها يمر التيار عبر الموسفت من المصب إلى المنبع SOURCE مكملاً دائرته لسالب القنطرة (أرضي الدائرة الحية)عبر المقاومة R716

يولد التيار المار في الملف الابتدائي 17/12 مجال كهرومغناطيسي (Electro Magnetic Field ) EMF ينتقل للملفات الثانوية بالإضافة أنه بدأ شحن قلب الفرايت بالمغنطة
الجهد المتولد على طرف 15 في T701 سوف يمر عبر الثنائي D715 ثم وصلة المجمع باعث collector emitter junction في الفوتوكوبلر opto-coupler (IC705) ويقوم بشحن المكثف C713 وبمجرد وجود جهد مقداره V=0.6V وهو متكون على قاعدة Q703 فتصبح في الوضع ON موصلة بوابة الموسفت للأرضي فتصبح في وضع القطع OFF أي الموسفت ويفرغ المكثف C714.

في هذه اللحظة (عندما الموسفت OFF) فإن شحنة قلب الفرايت تبدأ في التفريغ (الانهيار) Collapse مسببة الجهد المرتد EMF وبشكل معاكس للجهد في الوضع الأول فيتكون على الطرف 15 في T701 جهد سالب
لن تعود T701 للعمل حتى يتم إعادة شحن المكثف C714 والذي يصله (-12V) من الجهد المرتد تقريباً وهذه السالبية تسمح بإعادة شحن المكثف C714 والذي سيسمح بدوره لجهد البوابة في T701 بالزيادة حتى يصل الجهد V=4.5V عندها تعود T701 الموسفت للعمل (توصيل المنبع بالمصب)
زمن إغلاق الموسفتOFF TIME هو زمن عودة المجال الكهرومغناطيسي EMF
بقية الموضوع

 

 

[ابراهيم جاد]

   

بسم الله الرحمن الرحيم
الفقرة الأخيرة كانت

​

يولد التيار المار في الملف الابتدائي 17/12 مجال كهرومغناطيسي (Electro Magnetic Field ) EMF ينتقل للملفات الثانوية بالإضافة أنه بدأ شحن قلب الفرايت بالمغنطة
الجهد المتولد على طرف 15 في T701 سوف يمر عبر الثنائي D715 ثم وصلة المجمع باعث collector emitter junction في الفوتوكوبلر opto-coupler (IC705) ويقوم بشحن المكثف C713 وبمجرد وجود جهد مقداره V=0.6V وهو متكون على قاعدة Q703 فتصبح في الوضع ON موصلة بوابة الموسفت للأرضي فتصبح في وضع القطع OFF أي الموسفت ويفرغ المكثف C714.

في هذه اللحظة (عندما الموسفت OFF) فإن شحنة قلب الفرايت تبدأ في التفريغ (الانهيار) Collapse مسببة الجهد المرتد EMF وبشكل معاكس للجهد في الوضع الأول فيتكون على الطرف 15 في T701 جهد سالب

لن تعود T701 للعمل حتى يتم إعادة شحن المكثف C714 والذي يصله (-12V) من الجهد المرتد تقريباً وهذه السالبية تسمح بإعادة شحن المكثف C714 والذي سيسمح بدوره لجهد البوابة في T701 بالزيادة حتى يصل الجهد V=4.5V عندها تعود T701 الموسفت للعمل (توصيل المنبع بالمصب)
زمن إغلاق الموسفتOFF TIME هو زمن عودة المجال الكهرومغناطيسي EMF

تنظيم الجهد VOLTAGE REGULATION
يتم تنظيم وتحديد جهد الخرجV=+150V من خلال التغذية الخلفية المغذاة منه للأوبتوكوبلر opto-coupler (IC705) بمساعدة الجهد المرجعي reference V=+16V


زيادة الحمل Increase in load
في حالة أن زاد الحمل الطبيعي على دائرة التغذية (منظر قوي الإضاءة ) (high beam current), فإن الجهد المغذي لمكبر الخطأ IC705 (جهد القدح trigger voltage) سوف ينخفض وهذا يؤدي لرفع جهد كاثوده IC706 cathode voltage مما يخفض تيار الثنائي LED في الكوبلر IC705 مما يؤثر في تخفيض تيار الترانزيستور الضوئي لنفس IC705 وتخفيض هذا التيار يؤدي لزيادة فرق الجهد بين المجمع والباعثcollector/emitter في IC705 وهذا عبارة عن انخفاض في الجهد والتيار الواصل عبر ترانزيستور IC705 لشحن المكثف C713 يؤدي لزيادة زمن الشحن والذي نتيجته تأخير زمن ON ل Q703 والذي بنتيجته يعني تأخير OFF الموسفت Q701 والمحصلة هي زيادة زمن شحن قلب الفرايت وبالتالي زيادة جهد الخرج

نقص الحمل (إضاءة معتمة للمشهد....) Decrease in load

تحدث عملية عكسية للسابقة حيث يزيد جهد القدح ← يقل جهد كاثود IC706 ← يزيد تيار LED في IC705 ← يزيد انحياز القاعدة للترانزيستور الضوئي phototransistor ← يقل فرق الجهد بين المجمع والباعثcollector/emitter في IC705 ← يقل زمن شحن C713 ← يسرع Q703 في ON ← تسرع Q701 في OFF بمعنى بزيد التردد الذي تعمل عليه الدائرة والنتيجة انخفاض جهد الخرج.

typically the frequency will vary between 144kHz (no load) to 70kHz (high beam current).​

الحماية من ارتفاع جهد الخرج OVER-VOLTAGE PROTECTION
يؤمنها الثتائي المثبت للجهد زينرديود D716 حيث يمنع الجهد من تجاوز حدود معينة ففي حالة زيادة جهد الدائرة يزيد الجهد الخارج من الطرف PIN/15 ويمر خلال D716 باتجاه عكسي فيسرع في شحن المكثف C713 جاعلاً Q703 تصل للوضع ON بسرعة مما يؤدي لأن تكون Q701 في OFF وتصبح الدائرة في الوضع OFF ثم تعود للعمل من جديد.

التحكم في زيادة التيار OVER-CURRENT CONTROL

في حدود العمل الطبيعي للدائرة فإن الجهد المتكون نتيجة مرور التيار في الموسفت Q701 عبر المقاومة R716 هو دون V\1.2V وتكون دائرة السقوط trip circuit المكونة من (Q702 D713 R719 ) في حالة كمون (خمول)
في حالة وجود قصر على خرج الدائرة يزيد تيار R716 وعند تجاوز الجهد للقيمة V/1.2V فإنه أي الجهد يمر عبر الثنائي D713 ومنه للمقاومة R719 جاعلاً Q702 في الوضع ON فتصبح دائرة السقوط فعالة مسقطة دائرة التغذية عن طريق إيقاف عمل الموسفت Q701 بسبب وصل بوابته بالأرضي
يمكن استغلال هذا الترانزيستور للتحكم OFF/ON في الدائرة

صيانة الدائرة​

أعتقد أن أفضل وأسلم طريقة لصيانة الدائرة يكون في الوضع الإستاتيكي الساكن بدون كهرباء مع وجوب تفريغ مكثف التنعيم الرئيسي
أما الصيانة الديناميكية المتفاعلة مع وصل الدائرة في الجهد الكهربي فهي ممكنة ورائعة وتحتاج إلى أكثر دقة في العمل
فحص الفوتوكوبلر

​

ويمكن العودة للمواضيع التالية لمزيد من المعلومات:

مواضيع الروابط الضوئية
http://www.qariya.com/vb/showpost.ph...17&postcount=1

http://www.qariya.com/vb/showpost.ph...5&postcount=26
مواضيع التغذية
التقنيات الحديثة في دوائر القدرة المفتاحية (الجزء الأول)
التقنيات الحديثة في دوائر القدرة المفتاحية (الجزء الثاني)

التقنيات الحديثة في دوائر القدرة المفتاحية(الجزء الثالث)
التقنيات الحديثة في دوائر القدرة المفتاحية(الجزء الرابع)

 

 

[ابراهيم جاد]

   

بسم الله الرحمن الرحيم
التحكم بعمليات التلفزيون
سوف نتعامل مع هذا الموضوع بمزيد من الحذر لأنه تكنولوجيا ضخمة
بداية نأخذ فكرة عن الذاكرة في الموضوع التالي:

نظرة حول الذاكرة غير المتطايرة A Nonvolatile Memory Overview

الجزء الثاني من نفس الموضوع

أو حمل الملف من هنا

PCA84CXXX
Microcomputer Microprocessor Microcontroller​

جميع الأسماء تعني لنا نفس الشيء ولكنا نسميها IC تحكم العمليات أو بروسيسور
وسوف نتطرق هنا للحديث عن تحكم العمليات PCA84C44X …. PCA84C64X …. PCA84C84X

بسم الله الرحمن الرحيم​

في معرض حديثنا عن التلفزيون تعرضنا لمعظم وظائف دائرة التحكم بالجهاز
هذه المتكاملات تعمل بالنظام الرقمي CMOS وتعمل في ثمانية بت 8-bit
وهي ليست كالمتكاملات الخطية في مداخلها ومخارجها
تحتوي ذاكرة دائمة Read-only memory ROM ذاكرة للقراءة فقظ وهي تشكل البرنامج الذي تعمل علية ويبقى مسجلاً بها طالما كانت صالحة للعمل
وذاكرة مؤقتة RAM رام تعرف باسم ذاكرة الوصول العشوائي Random Access Memory وهي مخزن مؤقت للمعلومات تفقدها عند فصل الجهد الكهربي
وظائفها العامة
تصمم هذه الدوائر لتقوم بالتحكم في ما أمكن من دوائر أجهزة التلفزيون وليس شرطاً أن يلتزم مصمم الجهاز (التلفاز) باستخدام نفس ألفاظ ومسميات الأطراف التي كتبها المصمم ل IC التحكم حتى أن المصمم يذكر وظيفة الطرف وكيفية تشغيله ويترك الباقي لمصمم التلفاز فيمكن أن تجد مصمم تلفزيون استخدم الطرف 3 لتحكم الصوت وغيره استخدم نفس الطرف لتحكم البريق مثلاً ولكن هنالك أطراف ثابتة كالشمس مثل جهد التغذية أو المذبذب
استعراض للوظائف العامة
يمكنها التعامل مع إشارات دخل بمرحلة واحدة مثال 1/0
ويمكنها التعامل مع إشارات دخل متعددة المراحل حيث تفسر قيمة أي تغير في جهد الدخل مثل AFC
ويمكنها التعامل مع إشارات دخل تسلسلية وتفسيرها مثل IR
يمكنها تبادل المعلومات IN/OUT مع الذاكرة
ومخارجها كذلك :
تتعامل مع إشارة خرج بمرحلة واحدة مثل 1/0 OFF/ON
أو إشارة خرج تسلسلية محكومة العرض PWM
وإشارات مبرمجة OSD
ويشغلها
جهد التغذية و جهد الأرضي
مدخل للمذبذب العام
مدخل لمذبذب OSD
ويتحكم بعملها نوعان
تحكم ألي داخلي
تحكم حسب رغبة المستخدم

الأطراف مع بعض الرموز المستخدمة:
1- مخرج تحكم VT ورمزه D/A
2- وحتى 6- تحكمات ( صوت إضاءة لون بريق ونغمات) PWM
7- مخرج تحكم VHF1 I/O
8- مخرج تحكم VHF3 I/O
9- مخرج تحكم AFC أو AFT 3-bit DAC
10- مخرج تحكم UHF 1/0
11- تحكم 1/0
12- مخرج تحكم AV 1/0
13- وحتى 21- إدخال معلومات من لوحة المفاتيح 1/0
21- أرضي
22- وحتى 25- خرج OSD
26 – مدخل إشارة HSYNCN
27- مدخل إشارة VSYNCN
28 – RC oscillator of OSD clock
29 – مدخل تعرف على إشارة القناة المستقبلة
30- LC oscillator of OSD clock
31- 32- المذبذب
33- جهد تغذية لل Power-on-reset يحتاج جهد بحد أدنى V=1.3 حتى تبقى المخارج عاملة
34- غير مستخدم
35- مدخل تحكم من الريموت IR INT/T0
36- 37- 38- غير مستخدمة وهي مداخل 1/0 للتحكم العام
39- مخرج نبضات ساعية SCL
40- مدخل/مخرج معلومات للذاكرة SDA
41- مخرج تحكم تشغيل الجهاز STANDBY
42- مدخل جهد التغذية V=5V


يلحق معها IC للذاكرة الفلاش EEPROM وفي هذا الرقم PCA84CXX فإن ال EEPROM لا تتدخل في عملها فهي فقط مخزن لحفظ القنوات التلفزيونية وتبدأ هذه المتكاملات بالرقم العائلي =24 والذي يعني eeprom ثم يليه رقم سعتها التخزينية بالكيلو بايت هكذا
الذاكرة 2402 سعتها =2KB
البرنامج الموجود مع EEPROM يمكن لنا نسخه على جهاز الحاسوب أو على قطعة أخرى
وبالتالي تغييره إذا تلف
ويستخدم لذلك مبرمجات متعددة جداً منها ما يمكن شراءه جاهزاً ومنها ما يمكن تجميعه يدوياً
وتوصل مع جهاز الحاسوب ومن خلال برنامج بسيط يمكن قراءة المعلومات المخزنة أو حفظها أو تغييرها
وإليك هذه الدائرة القابلة للتنفيذ يدوياً

أو هنا الدائرة من موقعها مع الضبط وبها برمجة لأنواع أخرى
الشكل

المخطط

التوصيلات

كيفية التركيب

الضبط

الموقع

وأنا أستخدمها بعد التعديل الظاهر هنا

تم تصغير هذه الصورة. إضغط هنا لمشاهدة الصورة كاملة. الصورة الأصلية بأبعاد 870 * 457 و حجم 56KB.

تتغير communicatio حسب نوع المبرمجة (تجريب)
شاهد هنا

وهذا البرنامج يمكن إنزاله على الحاسوب لكي تستخدمه في تغيير المعلومات

http://www.electronics-lab.com/downl...005/index.html​

قد يكون الرابظ السابق صعب لذا حمل الملف من هنا
ولاحظ أن خيارات التشغيل سوف تختلف من مبرمجة إلى أخرى
__________________

لقد انتهت التمارين التي وعدت بها
وحان موعد المواضيع المتفرقة​

__________________